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Número da peça de fabricante | ISC1210BN5R6K |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN5R6K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN5R6K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 210mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 50MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN5R6K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN5R6K-FT |
744900018
Wurth Electronics Inc.
744900019
Wurth Electronics Inc.
744900020
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744900022
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744900027
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744900033
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744900039
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744900056
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IHSM3825ER102L
Vishay Dale
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
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A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
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Intel
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Intel