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Número da peça de fabricante | ISC1210BN5R6J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN5R6J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN5R6J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 5.6µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 210mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 50MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN5R6J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN5R6J-FT |
744900015
Wurth Electronics Inc.
744900018
Wurth Electronics Inc.
744900019
Wurth Electronics Inc.
744900020
Wurth Electronics Inc.
744900022
Wurth Electronics Inc.
744900027
Wurth Electronics Inc.
744900033
Wurth Electronics Inc.
744900039
Wurth Electronics Inc.
744900047
Wurth Electronics Inc.
744900056
Wurth Electronics Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel