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Número da peça de fabricante | ISC1210BN56NM |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN56NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN56NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 56nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 485mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN56NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN56NM-FT |
744900014
Wurth Electronics Inc.
744900015
Wurth Electronics Inc.
744900018
Wurth Electronics Inc.
744900019
Wurth Electronics Inc.
744900020
Wurth Electronics Inc.
744900022
Wurth Electronics Inc.
744900027
Wurth Electronics Inc.
744900033
Wurth Electronics Inc.
744900039
Wurth Electronics Inc.
744900047
Wurth Electronics Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation