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Número da peça de fabricante | ISC1210BN560J |
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Número da peça futura | FT-ISC1210BN560J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | ISC-1210 |
ISC1210BN560J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 56µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 95mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 10 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 11.5MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN560J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | ISC1210BN560J-FT |
744900010
Wurth Electronics Inc.
744900012
Wurth Electronics Inc.
744900013
Wurth Electronics Inc.
744900014
Wurth Electronics Inc.
744900015
Wurth Electronics Inc.
744900018
Wurth Electronics Inc.
744900019
Wurth Electronics Inc.
744900020
Wurth Electronics Inc.
744900022
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744900027
Wurth Electronics Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel