casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR
Número da peça de fabricante | IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR |
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Número da peça futura | FT-IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Tamanho da memória | 32Mb (2M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 54-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 54-VFBGA (6x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IS66WVC2M16ALL-7010BLI-TR-FT |
W989D2DBJX6I
Winbond Electronics
W989D2DBJX6I TR
Winbond Electronics
W25Q16DVUZIG TR
Winbond Electronics
GD25LQ32DNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16FWUUIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVUUIQ TR
Winbond Electronics
GD25LQ16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel