casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / IS61DDB21M18A-300B4L
Número da peça de fabricante | IS61DDB21M18A-300B4L |
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Número da peça futura | FT-IS61DDB21M18A-300B4L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IS61DDB21M18A-300B4L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous, DDR II |
Tamanho da memória | 18Mb (1M x 18) |
Freqüência do relógio | 300MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.71V ~ 1.89V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 165-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 165-LFBGA (13x15) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61DDB21M18A-300B4L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IS61DDB21M18A-300B4L-FT |
IS66WVE1M16BLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE1M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE1M16EBLL-55BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16ALL-7010BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16BLL-70BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel