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IS43DR86400E-3DBLI Image

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI

Número da peça MFG
IS43DR86400E-3DBLI
Quantidade disponível
36150 Peças
Preço de referência
USD 5.704
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descrição breve
- IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Memória
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IS43DR86400E-3DBLI.pdf
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IS43DR86400E-3DBLI Especificações

Número da peça de fabricante IS43DR86400E-3DBLI
Número da peça futura FT-IS43DR86400E-3DBLI
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
IS43DR86400E-3DBLI Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo de memória Volatile
Formato de memória DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR2
Tamanho da memória 512Mb (64M x 8)
Freqüência do relógio 333MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página 15ns
Tempo de acesso 450ns
Interface de memória Parallel
Tensão - fonte 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operação -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso 60-TFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 60-TWBGA (8x10.5)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IS43DR86400E-3DBLI Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IS43DR86400E-3DBLI-FT

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