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Infineon Technologies IRLR8259PBF

Número da peça MFG
IRLR8259PBF
Quantidade disponível
76890 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRLR8259PBF Especificações

Número da peça de fabricante IRLR8259PBF
Número da peça futura FT-IRLR8259PBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRLR8259PBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 13V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 48W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D-Pak
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLR8259PBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRLR8259PBF-FT

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