casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLR6225PBF
Número da peça de fabricante | IRLR6225PBF |
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Número da peça futura | FT-IRLR6225PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLR6225PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 21A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) |
Temperatura de operação | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLR6225PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLR6225PBF-FT |
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