casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRLML6402GTRPBF
Número da peça de fabricante | IRLML6402GTRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRLML6402GTRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRLML6402GTRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Micro3™/SOT-23 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLML6402GTRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRLML6402GTRPBF-FT |
IXTQ160N075T
IXYS
IXTQ160N085T
IXYS
IXTQ160N10T
IXYS
IXTQ16N50P
IXYS
IXTQ180N055T
IXYS
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IXYS
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IXYS
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IXYS
IXTQ200N075T
IXYS
IXTQ200N085T
IXYS
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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5CEBA5U19C8N
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