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Infineon Technologies IRLML2502GTRPBF

Name: IRLML2502GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML2502GTRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (89 reviews)

Número da peça MFG: IRLML2502GTRPBF

Quantidade disponível: 49440 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRLML2502GTRPBF.pdf

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IRLML2502GTRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRLML2502GTRPBF
Número da peça futura	FT-IRLML2502GTRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRLML2502GTRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Micro3™/SOT-23
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML2502GTRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRLML2502GTRPBF-FT

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