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Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF
- Número da peça MFG
- IRLHS6342TR2PBF
- Quantidade disponível
- 85110 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IRLHS6342TR2PBF.pdf
IRLHS6342TR2PBF Especificações
| Número da peça de fabricante | IRLHS6342TR2PBF |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRLHS6342TR2PBF |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRLHS6342TR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1019pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-PQFN (2x2) |
| Pacote / caso | 6-PowerVDFN |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRLHS6342TR2PBF Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRLHS6342TR2PBF-FT |
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