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Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP

Name: IRLBD59N04ETRLP
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLBD59N04ETRLP
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Número da peça MFG: IRLBD59N04ETRLP

Quantidade disponível: 29170 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRLBD59N04ETRLP.pdf

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IRLBD59N04ETRLP Especificações

Número da peça de fabricante	IRLBD59N04ETRLP
Número da peça futura	FT-IRLBD59N04ETRLP
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRLBD59N04ETRLP Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	59A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	130W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-263-5
Pacote / caso	TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLBD59N04ETRLP Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRLBD59N04ETRLP-FT

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