casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL640A
Número da peça de fabricante | IRL640A |
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Número da peça futura | FT-IRL640A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRL640A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1705pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL640A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRL640A-FT |
FQP10N20C
ON Semiconductor
FCP22N60N
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FDP8860
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XC2V4000-5FF1517I
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5SGSED8N3F45I3LN
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5SGXEB5R1F43I2N
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LFE2M70SE-6FN900I
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EP4SGX70HF35C2G
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