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Infineon Technologies IRL6372PBF

Name: IRL6372PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL6372PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (283 reviews)

Número da peça MFG: IRL6372PBF

Quantidade disponível: 34510 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRL6372PBF.pdf

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IRL6372PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRL6372PBF
Número da peça futura	FT-IRL6372PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRL6372PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 25V
Potência - Max	2W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6372PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRL6372PBF-FT

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