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Infineon Technologies IRL6342PBF

Número da peça MFG
IRL6342PBF
Quantidade disponível
89890 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRL6342PBF Especificações

Número da peça de fabricante IRL6342PBF
Número da peça futura FT-IRL6342PBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRL6342PBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 9.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1025pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 8-SO
Pacote / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRL6342PBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRL6342PBF-FT

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