casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRL2910L

| Número da peça de fabricante | IRL2910L |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IRL2910L |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | HEXFET® |
| IRL2910L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 29A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 5V |
| Vgs (máx.) | ±16V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-262 |
| Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRL2910L Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IRL2910L-FT |

IRF3805LPBF
Infineon Technologies

IRF3808LPBF
Infineon Technologies

IRF4104L
Infineon Technologies

IRF4104LPBF
Infineon Technologies

IRF520NL
Infineon Technologies

IRF520NLPBF
Infineon Technologies

IRF5210L
Infineon Technologies

IRF5305L
Infineon Technologies

IRF5305LPBF
Infineon Technologies

IRF530NL
Infineon Technologies

LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation

XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.

A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation

A3P250-1FG256
Microsemi Corporation

ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SE530H35C4N
Intel

XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.

A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation

LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1S20F780C7
Intel