casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IRGP35B60PD-EP
Número da peça de fabricante | IRGP35B60PD-EP |
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Número da peça futura | FT-IRGP35B60PD-EP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRGP35B60PD-EP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 120A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 35A |
Potência - Max | 308W |
Energia de comutação | 220µJ (on), 215µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 160nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 26ns/110ns |
Condição de teste | 390V, 22A, 3.3 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 42ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRGP35B60PD-EP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRGP35B60PD-EP-FT |
IKD04N60RATMA1
Infineon Technologies
IKD04N60RFATMA1
Infineon Technologies
IKD06N60RATMA1
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IKD06N60RFATMA1
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