casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IRGBC30FD2
Número da peça de fabricante | IRGBC30FD2 |
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Número da peça futura | FT-IRGBC30FD2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRGBC30FD2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 31A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 17A |
Potência - Max | 100W |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | - |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRGBC30FD2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRGBC30FD2-FT |
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EP4CE30F23I8LN
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EP4SE530H35C3
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XC7A200T-3FB676E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F780C7
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