casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IRG8CH106K10F
Número da peça de fabricante | IRG8CH106K10F |
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Número da peça futura | FT-IRG8CH106K10F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRG8CH106K10F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 110A |
Potência - Max | - |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 700nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 80ns/380ns |
Condição de teste | 600V, 110A, 1 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG8CH106K10F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRG8CH106K10F-FT |
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