casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IRG7CH81K10EF-R
Número da peça de fabricante | IRG7CH81K10EF-R |
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Número da peça futura | FT-IRG7CH81K10EF-R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRG7CH81K10EF-R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Potência - Max | - |
Energia de comutação | - |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 745nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 70ns/330ns |
Condição de teste | 600V, 150A, 1 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG7CH81K10EF-R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRG7CH81K10EF-R-FT |
IXYX50N170C
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10AX066N3F40E2LG
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