casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IRG5K100HH06E
Número da peça de fabricante | IRG5K100HH06E |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRG5K100HH06E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRG5K100HH06E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 170A |
Potência - Max | 405W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | POWIR ECO 2™ Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | POWIR ECO 2™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG5K100HH06E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRG5K100HH06E-FT |
FT150R12KE3G_B4
Infineon Technologies
FZ1000R12KF5NDSA1
Infineon Technologies
FZ1000R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ1000R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
FZ1000R33HL3BPSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R12HE4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R12KF4NOSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12KF5NDSA1
Infineon Technologies
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel