casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / IRG4PF50WD-201P
Número da peça de fabricante | IRG4PF50WD-201P |
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Número da peça futura | FT-IRG4PF50WD-201P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRG4PF50WD-201P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 900V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 51A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 204A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
Potência - Max | 200W |
Energia de comutação | 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 160nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 50ns/110ns |
Condição de teste | 720V, 28A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 90ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG4PF50WD-201P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRG4PF50WD-201P-FT |
IRG4PH50UDPBF
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EPF10K10ATC144-2
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484I6G
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10M08DCF256C8G
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LFE2-50E-5FN484C
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10AX115R3F40I2SGES
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EP1S40B956C7
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