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ON Semiconductor IRFW630BTM-FP001

Name: IRFW630BTM-FP001
Brand: ON Semiconductor
SKU: IRFW630BTM-FP001
Price: 0.42568 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (775 reviews)

Número da peça MFG: IRFW630BTM-FP001

Quantidade disponível: 45910 Peças

Preço de referência: USD 0.42568

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFW630BTM-FP001.pdf

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IRFW630BTM-FP001 Especificações

Número da peça de fabricante	IRFW630BTM-FP001
Número da peça futura	FT-IRFW630BTM-FP001
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
IRFW630BTM-FP001 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.13W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFW630BTM-FP001 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFW630BTM-FP001-FT

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