casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU3711ZPBF
Número da peça de fabricante | IRFU3711ZPBF |
---|---|
Número da peça futura | FT-IRFU3711ZPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU3711ZPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2160pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 79W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU3711ZPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU3711ZPBF-FT |
IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R650CEATMA1
Infineon Technologies
IPN50R950CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R2K1CEATMA1
Infineon Technologies
IPN60R360P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
IPN65R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel