casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS59N10DTRLP
Número da peça de fabricante | IRFS59N10DTRLP |
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Número da peça futura | FT-IRFS59N10DTRLP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFS59N10DTRLP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 35.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2450pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS59N10DTRLP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFS59N10DTRLP-FT |
IRF8010SPBF
Infineon Technologies
IRF8010STRLPBF
Infineon Technologies
IRF8010STRRPBF
Infineon Technologies
IRF9520NS
Infineon Technologies
IRF9520NSPBF
Infineon Technologies
IRF9520NSTRL
Infineon Technologies
IRF9520NSTRR
Infineon Technologies
IRF9530NS
Infineon Technologies
IRF9530NSPBF
Infineon Technologies
IRF9530NSTRLPBF
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel