casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS31N20DTRR
Número da peça de fabricante | IRFS31N20DTRR |
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Número da peça futura | FT-IRFS31N20DTRR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFS31N20DTRR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS31N20DTRR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFS31N20DTRR-FT |
IRF3711STRL
Infineon Technologies
IRF3711STRLPBF
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IRF3711STRR
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IRF3711STRRPBF
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IRF3711ZCS
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IRF3711ZCSTRL
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IRF3711ZCSTRR
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IRF3711ZCSTRRP
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IRF3711ZS
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