casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFS17N20DTRR
Número da peça de fabricante | IRFS17N20DTRR |
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Número da peça futura | FT-IRFS17N20DTRR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFS17N20DTRR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS17N20DTRR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFS17N20DTRR-FT |
IRF3709ZS
Infineon Technologies
IRF3709ZSPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZSTRL
Infineon Technologies
IRF3709ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF3709ZSTRR
Infineon Technologies
IRF3709ZSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF3710SPBF
Infineon Technologies
IRF3710STRR
Infineon Technologies
IRF3710STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3710ZSPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel