casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR9N20DTRLPBF
Número da peça de fabricante | IRFR9N20DTRLPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFR9N20DTRLPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFR9N20DTRLPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 86W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR9N20DTRLPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR9N20DTRLPBF-FT |
IRFR3711TRL
Infineon Technologies
IRFR3711TRLPBF
Infineon Technologies
IRFR3711TRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711TRR
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRFR3711Z
Infineon Technologies
IRFR3711ZCTRPBF
Infineon Technologies
IRFR3711ZPBF
Infineon Technologies
IRFR3711ZTR
Infineon Technologies
IRFR3711ZTRL
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel