casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR9024TRRPBF
Número da peça de fabricante | IRFR9024TRRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFR9024TRRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRFR9024TRRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR9024TRRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR9024TRRPBF-FT |
SISH129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS06DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS08DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS22DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS27DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS30DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS42DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS46DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel