casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR13N15DTRPBF
Número da peça de fabricante | IRFR13N15DTRPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFR13N15DTRPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFR13N15DTRPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 8.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 86W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR13N15DTRPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR13N15DTRPBF-FT |
GP2M005A050CG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060CG
Global Power Technologies Group
HUF75307D3ST
ON Semiconductor
HUF75309D3S
ON Semiconductor
HUF75309D3ST
ON Semiconductor
HUF75321D3S
ON Semiconductor
HUF75329D3S
ON Semiconductor
HUF75617D3S
ON Semiconductor
HUF75617D3ST
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel