casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR12N25DCTRLP
Número da peça de fabricante | IRFR12N25DCTRLP |
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Número da peça futura | FT-IRFR12N25DCTRLP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFR12N25DCTRLP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 144W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR12N25DCTRLP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR12N25DCTRLP-FT |
GP1M007A065CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050CG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020CG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065CG
Global Power Technologies Group
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel