casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR12N25DCPBF
Número da peça de fabricante | IRFR12N25DCPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFR12N25DCPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFR12N25DCPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 144W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR12N25DCPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR12N25DCPBF-FT |
GP1M006A065CH
Global Power Technologies Group
GP1M007A065CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050CG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020CG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060CG
Global Power Technologies Group
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel