casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR1010Z
Número da peça de fabricante | IRFR1010Z |
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Número da peça futura | FT-IRFR1010Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFR1010Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 140W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR1010Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR1010Z-FT |
FQD6P25TM
ON Semiconductor
FQD7N10LTF
ON Semiconductor
FQD7N10TM
ON Semiconductor
FQD7N20LTF
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FQD7N20TF
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FQD7N20TM
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FQD7N20TM_F080
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FQD7N30TF
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FQD7P06TF
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FQD7P06TM_F080
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
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EP2AGX65DF25C5
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5CEBA5U19C8N
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EP1C20F324I7N
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