casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR024NPBF
Número da peça de fabricante | IRFR024NPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFR024NPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFR024NPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR024NPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFR024NPBF-FT |
FQD6N60CTM
ON Semiconductor
FQD6N60CTM-WS
ON Semiconductor
FQD6P25TF
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FQD6P25TM
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FQD7N10LTF
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FQD7N10TM
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FQD7N20LTF
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FQD7N20TF
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FQD7N20TM
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FQD7N20TM_F080
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XC6SLX150-3FG676I
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XC3S1400A-5FG484C
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AGL600V5-FG484I
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
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LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
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