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ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

Name: IRFN214BTA_FP001
Brand: ON Semiconductor
SKU: IRFN214BTA_FP001
Availability: InStock
Rating: 4.8 (149 reviews)

Número da peça MFG: IRFN214BTA_FP001

Quantidade disponível: 12020 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: - MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFN214BTA_FP001.pdf

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IRFN214BTA_FP001 Especificações

Número da peça de fabricante	IRFN214BTA_FP001
Número da peça futura	FT-IRFN214BTA_FP001
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
IRFN214BTA_FP001 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	600mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	275pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-92-3
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFN214BTA_FP001 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFN214BTA_FP001-FT

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