casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFI4510GPBF
Número da peça de fabricante | IRFI4510GPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFI4510GPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFI4510GPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2998pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 42W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB Full-Pak |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI4510GPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFI4510GPBF-FT |
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK15S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel