casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFHS9301TR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFHS9301TR2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFHS9301TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFHS9301TR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 13A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-PQFN (2x2) |
Pacote / caso | 6-PowerVDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHS9301TR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFHS9301TR2PBF-FT |
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IXTQ74N15T
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IXTQ76N25T
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