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Infineon Technologies IRFHS8342TRPBF

Número da peça MFG
IRFHS8342TRPBF
Quantidade disponível
69290 Peças
Preço de referência
USD 0.139808
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRFHS8342TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante IRFHS8342TRPBF
Número da peça futura FT-IRFHS8342TRPBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRFHS8342TRPBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.1W (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TSDSON-6
Pacote / caso 6-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHS8342TRPBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRFHS8342TRPBF-FT

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