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Infineon Technologies IRFHM830TRPBF

Name: IRFHM830TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFHM830TRPBF
Price: 0.316728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (176 reviews)

Número da peça MFG: IRFHM830TRPBF

Quantidade disponível: 33810 Peças

Preço de referência: USD 0.316728

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFHM830TRPBF.pdf

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IRFHM830TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFHM830TRPBF
Número da peça futura	FT-IRFHM830TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFHM830TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	21A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2155pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PQFN (3x3)
Pacote / caso	8-VQFN Exposed Pad
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFHM830TRPBF-FT

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