casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFHM830TR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFHM830TR2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFHM830TR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFHM830TR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2155pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PQFN (3x3) |
Pacote / caso | 8-VQFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM830TR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFHM830TR2PBF-FT |
IXFP4N85XM
IXYS
IXFP14N85X
IXYS
IXFP4N85X
IXYS
IXFP30N25X3M
IXYS
IXFP30N25X3
IXYS
IXTN102N65X2
IXYS
IXFL38N100Q2
IXYS
IXFK240N25X3
IXYS
IXFH120N25X3
IXYS
IXFC36N50P
IXYS
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel