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Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF

Número da peça MFG
IRFHM830TR2PBF
Quantidade disponível
99430 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRFHM830TR2PBF Especificações

Número da peça de fabricante IRFHM830TR2PBF
Número da peça futura FT-IRFHM830TR2PBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRFHM830TR2PBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2155pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PQFN (3x3)
Pacote / caso 8-VQFN Exposed Pad
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM830TR2PBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRFHM830TR2PBF-FT

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