casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFHM830DTR2PBF
Número da peça de fabricante | IRFHM830DTR2PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFHM830DTR2PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFHM830DTR2PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1797pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PQFN (3x3) |
Pacote / caso | 8-VQFN Exposed Pad |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM830DTR2PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFHM830DTR2PBF-FT |
IXFP60N25X3M
IXYS
IXFP14N85XM
IXYS
IXFP4N85XM
IXYS
IXFP14N85X
IXYS
IXFP4N85X
IXYS
IXFP30N25X3M
IXYS
IXFP30N25X3
IXYS
IXTN102N65X2
IXYS
IXFL38N100Q2
IXYS
IXFK240N25X3
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel