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Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF

Name: IRFH7911TR2PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH7911TR2PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (102 reviews)

Número da peça MFG: IRFH7911TR2PBF

Quantidade disponível: 15440 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH7911TR2PBF.pdf

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IRFH7911TR2PBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH7911TR2PBF
Número da peça futura	FT-IRFH7911TR2PBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFH7911TR2PBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V
Potência - Max	2.4W, 3.4W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	18-PowerVQFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PQFN (5x6)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7911TR2PBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH7911TR2PBF-FT

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