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Infineon Technologies IRFH5302DTRPBF

Name: IRFH5302DTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5302DTRPBF
Price: 0.769232 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (344 reviews)

Número da peça MFG: IRFH5302DTRPBF

Quantidade disponível: 62420 Peças

Preço de referência: USD 0.769232

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFH5302DTRPBF.pdf

IRFH5302DTRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRFH5302DTRPBF
Número da peça futura	FT-IRFH5302DTRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRFH5302DTRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	29A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3635pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PQFN (5x6) Single Die
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5302DTRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFH5302DTRPBF-FT

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