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Vishay Siliconix IRFD113

Número da peça MFG
IRFD113
Quantidade disponível
99570 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Vishay Siliconix
Descrição breve
- MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
IRFD113.pdf
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IRFD113 Especificações

Número da peça de fabricante IRFD113
Número da peça futura FT-IRFD113
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
IRFD113 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 4-HVMDIP
Pacote / caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFD113 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRFD113-FT

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