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Vishay Siliconix IRFBE30S

Name: IRFBE30S
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30S
Availability: InStock
Rating: 4.9 (774 reviews)

Número da peça MFG: IRFBE30S

Quantidade disponível: 73080 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Vishay Siliconix

Descrição breve: - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRFBE30S.pdf

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IRFBE30S Especificações

Número da peça de fabricante	IRFBE30S
Número da peça futura	FT-IRFBE30S
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
IRFBE30S Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	4.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D2PAK
Pacote / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFBE30S Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRFBE30S-FT

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