casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFB4229PBF
Número da peça de fabricante | IRFB4229PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFB4229PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFB4229PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4560pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 330W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB4229PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFB4229PBF-FT |
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