casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFB4110PBF
Número da peça de fabricante | IRFB4110PBF |
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Número da peça futura | FT-IRFB4110PBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFB4110PBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9620pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 370W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFB4110PBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFB4110PBF-FT |
IRF6644
Infineon Technologies
IRF6644TR1
Infineon Technologies
IRF6644TR1PBF
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IRF6644TRPBF
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IRF6645
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IRF6648TR1
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A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
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AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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