casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF9910TR
Número da peça de fabricante | IRF9910TR |
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Número da peça futura | FT-IRF9910TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRF9910TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Potência - Max | 2W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9910TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRF9910TR-FT |
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