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Infineon Technologies IRF9910TRPBF

Name: IRF9910TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9910TRPBF
Price: 0.428208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (802 reviews)

Número da peça MFG: IRF9910TRPBF

Quantidade disponível: 53280 Peças

Preço de referência: USD 0.428208

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IRF9910TRPBF.pdf

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IRF9910TRPBF Especificações

Número da peça de fabricante	IRF9910TRPBF
Número da peça futura	FT-IRF9910TRPBF
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
IRF9910TRPBF Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Potência - Max	2W
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	8-SO
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9910TRPBF Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IRF9910TRPBF-FT

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